IPD65R600E6ATMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

7.3 A

Rds On - 漏源电阻：

600 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

23 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

28 W

配置：

单身的

商品名：

酷摩

打包：

卷轴

高度：

2.3 mm

长度：

6.5 mm

系列：

CoolMOS E6

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

11 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

64 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

第 # 部分别名：

IPD65R600E6 SP001117096

单位重量：

0.139332 oz

Tags

IPD65R600E6, IPD65R600E, IPD65R60, IPD65R6, IPD65R, IPD65, IPD6, IPD