GS66506T-E01-MR

产品属性

属性值

制造商：

氮化镓系统

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

氮化镓

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

GaNPX-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

22.5 A

Rds On - 漏源电阻：

67 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

7 V

Qg - 门电荷：

4.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.54 mm

长度：

5.5 mm

产品：

MOSFET

系列：

GS6650x

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.5 mm

品牌：

氮化镓系统

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

GS66506T-E01-MR

Tags

GS6650, GS665, GS66, GS6