STQ1NK60ZR-AP

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-92-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

300 mA

Rds On - 漏源电阻：

15 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

4.9 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

超级网状

系列：

STQ1NK60ZR

晶体管类型：

1 N-Channel Power MOSFET

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

0.5 S

秋季时间：

28 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns

出厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13 ns

典型的开启延迟时间：

5.5 ns

单位重量：

0.007760 oz

Tags

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