FQD12N20LTM-F085P

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DPAK-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

200 V

Id - 连续漏极电流：

9 A

Rds On - 漏源电阻：

220 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

21 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

55 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

11.6 S

秋季时间：

120 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

190 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

60 ns

典型的开启延迟时间：

15 ns

第 # 部分别名：

FQD12N20LTM_F085P

单位重量：

0.007055 oz

Tags

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