STB35N65DM2

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

28 A

Rds On - 漏源电阻：

94 mOhms

配置：

单身的

打包：

卷轴

系列：

DM2

品牌：

意法半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

Tags

STB35N6, STB35, STB3, STB