STS9P3LLH6

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

9 A

Rds On - 漏源电阻：

12 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

24 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.7 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

STripFET

打包：

卷轴

系列：

STS9P3LLH6

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

-

秋季时间：

18 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

93 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

50 ns

典型的开启延迟时间：

13.2 ns

单位重量：

0.017870 oz

Tags

STS9, STS