IFN5115

产品属性

属性值

制造商：

场效应管

产品分类：

场效应管

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-18-3

晶体管极性：

P-通道

配置：

单身的

Vds - 漏源击穿电压：

- 15 V

Vgs - 栅源击穿电压：

30 V

Vgs=0 时的漏源电流：

- 60 mA

Id - 连续漏极电流：

- 15 mA

Rds On - 漏源电阻：

100 Ohms

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

系列：

IFN511

打包：

大部分

类型：

场效应管

品牌：

场效应管

栅源截止电压：

6 V

出厂包装数量：

1

第 # 部分别名：

2N5115

Tags

IFN511, IFN51, IFN5, IFN