MRF6V2010GNR1

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

E

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Vds - 漏源击穿电压：

110 V

获得：

23.9 dB

输出功率：

10 W

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-270-2

打包：

卷轴

配置：

单身的

工作频率：

450 MHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

湿气敏感：

是的

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

第 # 部分别名：

935321298528

单位重量：

0.019330 oz

Tags

MRF6V20, MRF6V2, MRF6V, MRF6, MRF