STB33N60DM6

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

D2PAK-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

25 A

Rds On - 漏源电阻：

128 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.25 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

35 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

190 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

意法半导体

秋季时间：

35 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

7 ns

典型的开启延迟时间：

14 ns

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