RV1C001ZPT2L

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN0806-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

100 mA

Rds On - 漏源电阻：

3.8 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

100 mW

配置：

单身的

打包：

卷轴

系列：

RV1C001ZP

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

120 mS

秋季时间：

137 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

62 ns

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

325 ns

典型的开启延迟时间：

46 ns

第 # 部分别名：

RV1C001ZP

Tags

RV1C001Z, RV1C001, RV1C0, RV1C, RV1