STU6N65M2-S

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

IPAK-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

2.5 A

Rds On - 漏源电阻：

1.35 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

9.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

60 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

系列：

STU6N65M2

晶体管类型：

1 N Channel

品牌：

意法半导体

秋季时间：

20 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

6.5 ns

典型的开启延迟时间：

19 ns

Tags

STU6N65, STU6N6, STU6N, STU6, STU