STD12N60M2

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

9 A

Rds On - 漏源电阻：

395 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

-

Qg - 门电荷：

16 nC

最低工作温度：

-

最高工作温度：

-

Pd - 功耗：

85 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

网状网

打包：

卷轴

高度：

2.4 mm

长度：

6.2 mm

产品：

功率MOSFET

系列：

STD12N60M2

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MDmesh M2

宽度：

6.6 mm

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

-

秋季时间：

-

产品类别：

MOSFET

上升时间：

-

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

-

典型的开启延迟时间：

-

单位重量：

0.139332 oz

Tags

STD12N60, STD12N6, STD12N, STD12, STD1, STD