TGF2935

产品属性

属性值

制造商：

科沃

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓碳化硅

获得：

16 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

-

Vgs - 栅源击穿电压：

-

Id - 连续漏极电流：

360 mA

输出功率：

4.8 W

最大漏栅电压：

-

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 85 C

Pd - 功耗：

5 W

安装方式：

贴片/贴片

打包：

凝胶包

应用：

国防和航空航天，宽带无线

配置：

单身的

工作频率：

DC to 25 GHz

系列：

转化生长因子

品牌：

科沃

正向跨导 - 最小值：

-

NF - 噪声系数：

1.3 dB

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

50

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

1113815

Tags

TGF293, TGF29, TGF2, TGF